為什麼台灣存储器產業會走向没落!

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存储器要做出来其实不难，美、日、韩、台灣地域均可以，中國大陆也不成能破例。阻碍重要来自于若何笼盖本瘦臉,錢，工艺制程和良率的差距致使本錢竞争力不如敌手，此外装备折旧更是盘踞出產本錢的40%-50%。

可以想见，若是中國大陆存储財產突起速渡過快，三星、SK海力士、美光，东芝等國际大厂必定會以代价战来压抑。

本文将从財產成长纪律、技能趋向、財產政策等多方面阐發我國台灣地域成长存储器的颠末和终极退出的缘由。

究竟上，台灣地域在获得全世界晶圆代工第1、封装第一及IC設計第二的成就以後定下加倍弘大的半导体財產方针：一、总產值要跨越韩國，成為继美國、日本以後的全世界第三位;二、在将来三至五年中，存储器財產要跨越韩國，成為全世界第一。

　　為甚麼以存储器為冲破口?

這是一个值得思虑的好问题。回首80年月日本追逐美國，和90年月韩國追逐日本，都因此存储器作為冲破口。缘由是存储器市场庞大、設計技能相對于简略且易于扩展市场份额。

韩國就是在6英寸晶圆厂過渡到8英寸晶圆厂的世代瓜代時，以9座8英寸晶圆厂的產能上風，一举代替紋繡教學平台,日本厂商跃居全世界DRAM財產第一的的宝座。

台灣地域试圖以一样的法子，@但%d65妹妹%愿@在8英寸過渡到12英寸晶圆厂的世代瓜代時，以具有全世界至多的12英寸晶圆厂来取胜。成果台灣并未乐成，三星及SK海力士仍雄居全世界存储器市场第一和第二的位置。

　　重投資计谋未能见效

半导体業内有个“潜法则”，只要舍得投資就有可能乐成。比方台灣地域半导体業在90年头代工模式刚鼓起時，年投資金额與年贩卖额之比达60%以上。

按照此履历，台灣地域从2004年起头加快存储器方面的投資。从2004至2008年，台灣地域在存储器方面的总投資达300亿美元以上，具有近20条12英寸晶圆出產線，位列全世界第一，大大超越同期三星的投資。

可是终极并未因12英寸晶圆出產線多而取告捷利，随後台灣地域抛却存储器追逐计谋，转向恪守阵地。

台灣DRAM與三星在投資方面的比力

　　缘由初探

台灣地域在存储器方面重投資而未能见效，缘由是多方面的，也能够認為台灣地域在半导体计谋上的一次重大失误。据笔者察看有如下三个重要缘由：

起首，台灣地域在成长存储器財產中重要采纳代工模式，而代工模式在DRAM中以失败了结。

家喻户晓，在DRAM財產中有两个趋向已成為共鸣，一个是工艺制程变化快，紧跟摩尔定律。另外一个是月產能达15万片的超等大厂風行，投資高达50-80亿美元。重要缘由是出于運營本錢的斟酌，運行3个5万片晶圆厂的本錢必定高過一个15万片晶圆厂。

按此理阐發，代工场的產能小，没法與IDM厂竞争。当產能足够大時，一来代工场担忧将来定单不足而夷由扩充產能，同時那些IDM厂又担忧代工场會與本身争取客户。

此外，从底子上那些IDM厂也不成能把最先辈制程的產物交给代工场。是以，代工模式在DRAM業中遭到质疑，中芯國际于2007年退出存储器代工可能也是基于此理。

其次，台灣地域存储器財產中缺少自有技能，過量的依靠于技能转移。比方，此前力晶與尔必达，茂德與SK海力士及华亚科與奇梦达(如今的美光燈具,)。台灣地域厂商根基都没自立技能，即是缺少脊梁。

這也是台灣地域存储器追逐韩國失败的重要缘由。

最後，是全世界存储器的市场未能到达预期。那時，几近2/3的新建或扩充產能集中在存储器財產中，但需求端并无快速發展，造成供過于求的场合排场，终极致使DRAM和NAND闪存代价的延续下跌彻底超越市场预期。

台灣地域存储器財產颠末近5年尽力，耗费300亿美元以上的投資，成果未能跨越韩國。一方面表白韩國在存储器方面的气力之壮大;另外一方面也证实光靠费錢其实不能解决问题。

任何计谋都不成能简略地复制，任何乐成都是由多个身分配合促進的。台灣地域在半导体業整体上是乐成的，可是這次存储器之梦未能实現。